05/04/2011

L'implantation «d'ions est une technologie éprouvée dans le monde de l'électronique. Né en 1954 pour dopage l'industrie des semiconducteurs, ce processus permet l'implantation d'ions de nature différente dans un substrat solide en changeant ses propriétés physiques.

Les avantages de cette technique sont représentés par la possibilité de réaliser des profils de concentration très précises, de contrôler le nombre d'ions implantés et de leur profondeur de pénétration. C'est aussi un processus qui se produit à froid au plus bas ure par rapport à d'autres techniques de dopage et ne produit pas de réactions chimiques potentiellement polluantes.