04/05/2011

La implantación 'de iones es una tecnología probada en el mundo de la electrónica. Nacido en 1954 por dopaje de la industria de los semiconductores, este proceso permite la implantación de iones de diferente naturaleza en un sustrato sólido, cambiando sus propiedades físicas.

Las ventajas de esta técnica están representados por la posibilidad de lograr perfiles de concentración muy precisos, controlando el número de iones implantados y su profundidad de penetración. También es un proceso que se produce en los estribos en el más bajo Ure comparación con otras técnicas de dopaje y no produce reacciones químicas potencialmente contaminantes.